[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。通过将有源层中的垒层设置为包括依次层叠的InxGa1‑xN子垒层、AlaInyN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlcGa1‑cN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlaInyN子垒层、InxGa1‑xN子垒层，这种对称生长的垒层结构，在与阱层交替生长时，可减小外延层中整体积累的应力，同时也能够减小其在自身生长过程中引入的应力，进而减小外延层中由应力引起的压电极化现象，同时，垒层中分别设置在AlcGa1‑cN子垒层两侧的InxGa1‑xN子垒层可减小垒层整体与InGaN阱层之间的晶格失配，进一步减小有源层中的压电极化现象，进而减少有源层中的能带弯曲情况，增大电子和空穴波函数空间重叠，进而增大电子与空穴的有效辐射复合率，提高发光二极管的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层，其特征在于，所述有源层包括交替层叠的垒层与阱层，所述阱层包括InGaN阱层，所述垒层包括依次层叠的InxGa1‑xN子垒层、AlaInyN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlcGa1‑cN子垒层、AlbGa1‑b‑zInzN子垒层、AlaInyN子垒层、InxGa1‑xN子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜0.5，0＜z＜0.5，0.5＜a＜1，0.5＜b＜1，0＜c＜1，a与y的关系满足公式：a+y＝1。