[发明专利]形成氧化铝层的方法、有氧化铝层的金属表面和电子器件在审
| 申请号： | 201810635363.0 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109103114A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | J.加特鲍尔;W.莱纳特;K.马托伊;E.纳佩奇尼希;M.罗加利;M.施内根斯;B.魏德根斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请涉及形成氧化铝层的方法、有氧化铝层的金属表面和电子器件。提供了一种形成氧化铝层的方法，所述方法包括：提供包括金属的群组中的至少一种金属的金属表面，所述群组包括铜、铝、钯、镍、银及其合金；以及通过原子层沉积在所述金属表面上沉积氧化铝层，其中在沉积期间的最大处理温度是280℃，使得所述氧化铝层被形成为具有如下表面：所述表面有小于40°的液态焊料接触角。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝层 金属表面 电子器件 群组 沉积 原子层沉积 金属 液态焊料 接触角 合金 申请 | ||
【主权项】：
1.一种形成氧化铝层的方法，所述方法包括：提供包括金属的群组中的至少一种金属的金属表面，所述群组包括铜、铝、钯、镍、银及其合金；以及通过原子层沉积在所述金属表面上沉积氧化铝层，其中在所述沉积期间的最大处理温度是280℃，使得所述氧化铝层被形成为具有如下表面：所述表面有小于40°的液态焊料接触角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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