[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于，提供能够防止发生电压及电流的振荡的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：n型硅衬底(1)；以及第一n型缓冲层(8)，其形成于n型硅衬底(1)的背面内，具有从背面起的深度不同的多个质子的浓度的峰值，对于第一n型缓冲层(8)，从存在于靠近背面的位置的峰值朝向n型硅衬底(1)的表面的质子的浓度的梯度，小于从存在于远离背面的位置的峰值朝向表面的质子的浓度的梯度。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；以及第一缓冲层，其形成于所述半导体衬底的一个主面内，具有从所述一个主面起的深度不同的多个质子的浓度的峰值，对于所述第一缓冲层，从存在于靠近所述一个主面的位置的所述峰值朝向所述半导体衬底的另一主面的所述质子的浓度的梯度，小于从存在于远离所述一个主面的位置的所述峰值朝向所述另一主面的所述质子的浓度的梯度。