[发明专利]分段式堆叠体中的三维NOR串阵列

摘要

半导体衬底上方形成的存储器结构包含两个或更多个模块，模块形成为上下叠置且由全局互连导体的层分开。每个存储器模块可以包含组织为NOR阵列串的存储器晶体管的三维阵列。存储器晶体管的每个三维阵列被提供垂直局部字线作为存储器晶体管的栅电极。由在存储器晶体管的三维阵列下方和上方的全局互连导体的层将这些垂直局部字线连接到半导体衬底中形成的电路。

主权项

1.一种存储器结构，包括：具有平坦表面的半导体衬底，所述半导体衬底具有在其中和其上形成的电路；多个存储器模块，所述多个存储器模块上下叠置地提供在所述平坦表面上方，其中每个存储器模块包括：有源条的多个堆叠体，所述堆叠体沿着实质上平行于所述平坦表面的第一方向彼此间隔，每个有源条沿着实质上也平行于所述平坦表面但正交于所述第一方向的第二方向纵长地行进，每个堆叠体内的所述有源条被提供为沿着实质上垂直于所述平坦表面的第三方向上下叠置，每个有源条包括半导体层，所述半导体层形成组织为NOR串的薄膜储存晶体管的漏极、源极以及沟道区域；局部字线导体的集合，所述局部字线导体各自沿着所述第三方向行进，以对所述有源条的堆叠体中的指定的一个中的储存晶体管提供作为栅极电极；全局字线导体的第一集合，所述全局字线导体的第一集合提供在所述有源条的堆叠体下方，沿着所述第二方向彼此间隔并各自沿着所述第一方向行进，将所述衬底电路连接到所述局部字线中的一些；以及全局字线导体的第二集合，所述全局字线导体的第二集合提供在所述有源条的堆叠体上方，沿着所述第二方向彼此间隔并各自沿着所述第一方向行进，将所述衬底电路连接到所述局部字线中的一些，其中除一个存储器模块之外的每个存储器模块的所述全局字线导体的第二集合也被提供为紧挨着位于其上方的另一存储器模块的所述全局字线导体的第一集合。