[发明专利]量子级联激光器有效
申请号: | 201810637494.2 | 申请日: | 2018-06-20 |
公开(公告)号: | CN109119891B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 桥本顺一 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 韩峰;孙志湧 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器,包括:衬底,所述衬底包括衬底端面;半导体层叠体,所述半导体层叠体具有在轴向方向上延伸的层叠体端面和芯;第一电极,所述第一电极被设置在半导体层叠体上;第二电极,所述第二电极被设置在衬底的背表面上;绝缘膜,所述绝缘膜被设置在层叠体端面和第一电极上;以及第一金属膜,所述第一金属膜被设置在层叠体端面、绝缘膜和第一电极上,绝缘膜位于第一金属膜与半导体层叠体之间。衬底端面和层叠体端面沿着与轴向方向交叉的参考平面延伸。衬底端面具有布置在从衬底的背表面到主表面的方向上的第一区和第二区,并且第一金属膜具有在第二区上的端部。 | ||
搜索关键词: | 量子 级联 激光器 | ||
【主权项】:
1.一种量子级联激光器,包括:衬底,所述衬底包括主表面、背表面和衬底端面,所述主表面和所述背表面被布置在第一方向上,所述主表面与所述背表面相反,所述衬底端面与第二方向交叉,并且所述第二方向与所述第一方向交叉;半导体层叠体,所述半导体层叠体被设置在所述衬底的所述主表面上,所述半导体层叠体具有层叠体端面,并且所述半导体层叠体包括在所述第二方向上从所述层叠体端面延伸的芯层和被设置在所述芯层上的包覆层,所述衬底端面和所述层叠体端面沿着与所述第二方向交叉的参考平面延伸;第一电极,所述第一电极被设置在所述半导体层叠体上;第二电极,所述第二电极被设置在所述衬底的所述背表面上;绝缘膜,所述绝缘膜被设置在所述层叠体端面和所述第一电极上;以及第一金属膜,所述第一金属膜被设置在所述层叠体端面、所述绝缘膜和所述第一电极上,所述绝缘膜位于所述第一金属膜与所述半导体层叠体之间,所述半导体层叠体和所述衬底被设置在所述第一电极与所述第二电极之间,所述衬底端面具有第一区和第二区,所述第一区和所述第二区被布置在从所述衬底的所述背表面到所述衬底的所述主表面的方向上,并且所述第一金属膜具有在所述第二区上的端部。
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