[发明专利]一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置在审
| 申请号： | 201810637809.3 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110619915A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 龙冬庆;温靖康;张美洲 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 44217 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置。所述方法包括：在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵，对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理。本发明提供的过擦除处理方法，将大量处于过擦除状态的存储单元依次经过至少一次预弱编程处理，使处于过擦除状态的存储单元电性特性尽量收敛，再执行完整弱编程操作，这样处理过程中弱编程电流将会明显降低，弱编程的效率也会大幅提高，能够节省弱编程时间，从而节省了芯片的擦除时间。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 过擦除 储存单元 列阵 非易失性存储器 存储单元 擦除 次预 方法和装置 编程操作 编程电流 电性特性 收敛 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法，其特征在于，所述方法包括：/n在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵；/n对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，所述预弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行一次弱编程处理；/n对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理，所述完整弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行至少一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行至少一次弱编程处理，直至每根字线都通过过擦除状态检测。/n
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