[发明专利]形成垂直场效应晶体管的方法以及所得结构

摘要

本发明涉及形成垂直场效应晶体管的方法以及所得结构，其揭露一种形成包含(例如，在VFET阵列中的)多个垂直场效应晶体管的集成电路的方法。在该方法中，基本同时形成各对VFET的自对准栅极以及接触这些自对准栅极的自对准栅极延伸区，以使该栅极环绕一对半导体鳍片(呈端到端对齐)，并使该栅极延伸区填充这些半导体鳍片的相邻端部之间的空间。通过形成一对VFET的自对准栅极及自对准栅极延伸区，该方法避免在VFET阵列中的相邻对VFET之间光刻图案化延伸切割隔离区的需要。因此，该方法能够实施鳍片间距缩减的VFET阵列设计，而不会导致例如由叠对误差引起的缺陷。本文中还揭露依据该方法所形成的集成电路。

主权项

1.一种方法，包括：形成开口，该开口延伸穿过覆盖加盖半导体鳍片的共形牺牲栅极层，穿过该加盖半导体鳍片并至衬底中，该牺牲栅极层包括牺牲材料且该开口将该加盖半导体鳍片划分成具有牺牲鳍片覆盖层的一对半导体鳍片；在该开口中形成隔离区以及位于该隔离区之上的牺牲区，该牺牲区包括该牺牲材料；凹入该牺牲材料以形成凹槽，该凹槽横向延伸于该半导体鳍片的相邻端部之间并且还环绕该半导体鳍片的上部以及该半导体鳍片上的该牺牲鳍片覆盖层；用介电间隙壁材料填充该凹槽，以形成间隙壁；移除该牺牲材料；以及利用该间隙壁作为掩膜以同时形成栅极及栅极延伸区，该栅极横向邻近该半导体鳍片的外端部及相对侧而设置，且该栅极延伸区位于在该隔离区之上并横向延伸于该半导体鳍片的该相邻端部以及该栅极之间并与该相邻端部以及该栅极直接接触的空间内。