[发明专利]一种单晶电池片的表面微米纳米复合结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶电池片的表面微米纳米复合结构的制备方法，包括以下步骤：S1、碱制绒：形成反射率为15‑17％的金字塔绒面，且金字塔尺寸为5‑10μm；S2、酸洗一：采用HNO3溶液进行酸洗，所述HNO3溶液浓度为0.5‑1％，温度控制为常温，酸洗时间为60‑100s；S3、银离子辅助制绒：形成直径为80‑130nm、深度为150‑200nm的纳米坑洞。本发明将常规单晶碱制绒与常规黑硅的银离子辅助制绒相结合，对单晶硅表面进行制绒，形成微米‑纳米复合结构绒面，在保证较低的反射率的同时，具有较低的比表面积，减小表面复合，进一步提高电池的转换效率，实用性很强，非常值得推广。

主权项

1.一种单晶电池片的表面微米纳米复合结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、碱制绒：采用碱制绒溶液对单晶电池片进行制绒，所述碱制绒溶液为NaOH、添加剂以及DIW的混合溶液，其中，NaOH浓度为7-9％，添加剂浓度为0.5-1％，温度控制为83-87℃，反应时间为12-15min，形成反射率为15-17％的金字塔绒面，且金字塔尺寸为5-10μm；/nS2、酸洗一：采用HNO3溶液进行酸洗，所述HNO3溶液浓度为0.5-1％，温度控制为常温，酸洗时间为60-100s；/nS3、银离子辅助制绒：采用辅助制绒溶液对单晶电池片进行制绒，所述辅助制绒液为HF、H2O2、含银添加剂以及DIW的混合溶液，其中，HF浓度为4-5％，H2O2浓度为25-30％，银离子含量为0.006-0.01mol/L，温度控制为33-37℃，反应时间为150-250s，形成直径为80-130nm、深度为150-200nm的纳米坑洞；/nS4、脱银：采用脱银溶液进行脱银，所述脱银溶液为NH4OH、H2O2以及DIW的混合溶液，其中，NH4OH浓度为0.3-0.5％，H2O2浓度为3-5％，温度控制为常温，反应时间为100-150s；/nS5、酸洗二：采用HF和HCl的混合溶液进行酸洗，其中，HF和HCl的浓度均在5-8％，温度控制为常温，反应时间为100-150s，使得单晶电池片的反射率控制在3-5％；/nS6、烘干：将电池片进行烘干处理。/n