[发明专利]SOI衬底结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种SOI衬底结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法，通过在支撑衬底上依次形成第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层，并在所述第一半导体层中形成隔离部以将所述第一半导体层分隔为多个第一半导体区。从而，实现了第一半导体区之间以及第一半导体层和上下层之间的全面隔离。进而，在制备具有背栅的半导体器件时，可直接利用第一半导体区制成背栅，不仅实现了器件制备工艺的简化，还能够保证背栅的良好隔离性，使背栅对半导体器件(例如MOS器件)的阈值电压的控制更为准确。

主权项

1.一种SOI衬底结构，其特征在于，包括：支撑衬底；第一绝缘层，形成在所述支撑衬底上；第一半导体层，形成在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层包括多个第一半导体区和隔离部，，所述隔离部形成在所述第一半导体区之间，以使相邻的将所述第一半导体区相互隔离；第二绝缘层，形成在所述第一半导体层上；以及，第二半导体层，形成在所述第二绝缘层上。