[发明专利]解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片在审
申请号: | 201810644904.6 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN108695227A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 吴现伟;龙华;陈晓哲;宣凯;郭嘉帅 | 申请(专利权)人: | 上海飞骧电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 阮攀;刘国伟 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法及芯片。所述方法包括如下步骤:砷化镓晶圆在完成线路等级制作后,以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内,按照排程放料作业;晶圆背面磨片减薄;中测,进行功能测试、交流参数和直流参数测试,根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆;晶圆背面贴DAF膜;紫外光照射固化DAF膜;晶圆切割划片,切割后将形成一颗颗孤立的芯片和DAF膜贴合在金属环内基膜表面;包装已切割晶圆运送至封装厂;贴装芯片到框架贴片区;烤箱固化使DAF膜固化为玻璃态;完成封装后续流程。本发明避免了砷化镓晶圆反复运输过程碎片或裂片风险;降低了运输成本,提高了作业良率及时效性。 | ||
搜索关键词: | 砷化镓 晶圆 封装 芯片 晶圆背面 无源器件 溢胶问题 贴膜 固化 切割 直流参数测试 氮气 紫外光照射 烤箱 高洁净度 功能测试 后续流程 交流参数 晶圆切割 运输成本 运输过程 玻璃态 金属环 膜表面 时效性 贴片区 放料 划片 减薄 良率 裂片 磨片 内基 排程 贴合 贴装 箱柜 储存 筛选 运送 孤立 制作 | ||
【主权项】:
1.一种解决封装溢胶问题的无源器件砷化镓贴膜方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:砷化镓晶圆在完成线路等级制作后,以675um厚度储存于高洁净度晶圆库通有氮气的箱柜内,按照排程放料作业;砷化镓晶圆背面磨片减薄;中测,是将砷化镓晶圆进行功能测试、交流参数和直流参数测试,根据测试结果筛选合格的砷化镓晶圆;砷化镓晶圆背面贴DAF膜;紫外光照射,固化DAF膜;砷化镓晶圆切割划片,切割后将形成一颗颗孤立的芯片和所述DAF膜贴合在金属环内基膜表面;包装固定在金属环内基膜表面上的已切割晶圆,运送至封装厂;贴装砷化镓芯片到框架贴片区;烤箱固化,使所述DAF膜固化为玻璃态;完成封装后续流程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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