[发明专利]Semi-Z源单相逆变器的调制方法有效
| 申请号： | 201810645257.0 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108809130B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李宁;张岩;聂程 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学;西安交通大学 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 涂秀清 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的Semi‑Z源单相逆变器的调制方法，首先建立Semi‑Z源逆变器电路拓扑的线性调制算法；其次，根据调制算法要求确定Semi‑Z源逆变器电路拓扑中的电容的电压值，确定电感电流纹波与电容电压纹波的关系；然后，根据调制算法要求，结合得出的电感电流纹波与电容电压纹波的关系，求解电感的电感值需求；最后，结合电容电压和电感值需求代入建立的调制算法中，分别求解开关的占空比，根据占空比确定开关的通断状态。本发明公开的调制方法突破了原有方法仅适用于小功率场合、较低输出频率的限制，使该逆变器拓扑同样具有驱动重载、输出中频交流的能力，降低开关器件的电压应力，实现控制信号与输出的线性化易于控制器设计。 | ||
| 搜索关键词： | semi 单相 逆变器 调制 方法 | ||
【主权项】：
1.Semi‑Z源单相逆变器的调制方法，其特征在于，具体操作步骤如下：步骤1.建立Semi‑Z源逆变器电路拓扑的线性调制算法模型；步骤2.根据步骤1的调制算法要求，确定Semi‑Z源逆变器电路拓扑中的电容C1的电压值，确定电感L1电流纹波与电容C1电压纹波的关系；步骤3.根据步骤1的调制算法要求，结合步骤2得出的电感L1电流纹波与电容C1电压纹波的关系，求解电感L1的电感值需求；步骤4.结合步骤2和步骤3的电容电压C1和电感值L1，代入步骤1建立的调制算法模型中，分别求解开关S1和开关S2的占空比，根据占空比确定开关S1和开关S2的通断状态。
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