[发明专利]太阳能电池及其制作方法在审
申请号: | 201810645454.2 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN110634999A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 梁建军;龙巍;郁操;刘霖;徐希翔;李沅民 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/068 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种太阳能电池的制作方法,包括:在硅基底表面依次形成第一钝化层和第一掺杂层;在第一掺杂层表面形成第一电介质保护层;按预定图案利用激光刻蚀第一电介质保护层;以第一电介质保护层为掩模除去第一钝化层和第一掺杂层;在第一电介质保护层和露出的硅基底层上形成图案化的第二钝化层和第二掺杂层;在形成于硅基底层上的第二掺杂层上形成刻蚀阻挡层;除去形成于第一电介质保护层上的第二钝化层和第二掺杂层;除去第一电介质保护层和刻蚀阻挡层;形成第二电介质保护层;按预定图案利用激光刻蚀第二电介质保护层;最后形成透明导电层和电极。本发明的利用激光刻蚀结合第一电介质保护层替代光刻工艺,在不损失电池效率的前提下,简化工艺流程,具备低成本大规模生产的可行性。 | ||
搜索关键词: | 电介质保护层 掺杂层 钝化层 激光刻蚀 刻蚀阻挡层 硅基底层 预定图案 硅基底表面 太阳能电池 透明导电层 表面形成 电池效率 光刻工艺 工艺流程 低成本 图案化 电极 掩模 替代 制作 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述方法包括:/n在硅基底的第一表面依次形成第一钝化层和第一掺杂层;/n在所述第一掺杂层表面形成第一电介质保护层;/n按预定图案利用激光刻蚀所述第一电介质保护层;/n以图案化的第一电介质保护层为掩模除去所述第一钝化层和所述第一掺杂层露出所述硅基底层;/n在所述图案化的第一电介质保护层和露出的硅基底层上形成图案化的第二钝化层和第二掺杂层;/n在形成于所述硅基底层上的所述第二掺杂层上形成刻蚀阻挡层;/n除去形成于所述图案化的第一电介质保护层上的所述第二钝化层和第二掺杂层;/n除去所述图案化的第一电介质保护层和所述刻蚀阻挡层;/n在图案化的第一掺杂层和第二掺杂层上形成第二电介质保护层;/n按预定图案利用激光刻蚀所述第二电介质保护层;/n以图案化的第二电介质保护层为掩模形成透明导电层;/n在所述透明导电层上形成电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的