[发明专利]太阳能电池及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810645454.2 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN110634999A 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 梁建军;龙巍;郁操;刘霖;徐希翔;李沅民 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L31/068
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100176 北京市大兴区亦*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种太阳能电池的制作方法,包括:在硅基底表面依次形成第一钝化层和第一掺杂层;在第一掺杂层表面形成第一电介质保护层;按预定图案利用激光刻蚀第一电介质保护层;以第一电介质保护层为掩模除去第一钝化层和第一掺杂层;在第一电介质保护层和露出的硅基底层上形成图案化的第二钝化层和第二掺杂层;在形成于硅基底层上的第二掺杂层上形成刻蚀阻挡层;除去形成于第一电介质保护层上的第二钝化层和第二掺杂层;除去第一电介质保护层和刻蚀阻挡层;形成第二电介质保护层;按预定图案利用激光刻蚀第二电介质保护层;最后形成透明导电层和电极。本发明的利用激光刻蚀结合第一电介质保护层替代光刻工艺,在不损失电池效率的前提下,简化工艺流程,具备低成本大规模生产的可行性。
搜索关键词: 电介质保护层 掺杂层 钝化层 激光刻蚀 刻蚀阻挡层 硅基底层 预定图案 硅基底表面 太阳能电池 透明导电层 表面形成 电池效率 光刻工艺 工艺流程 低成本 图案化 电极 掩模 替代 制作
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述方法包括:/n在硅基底的第一表面依次形成第一钝化层和第一掺杂层;/n在所述第一掺杂层表面形成第一电介质保护层;/n按预定图案利用激光刻蚀所述第一电介质保护层;/n以图案化的第一电介质保护层为掩模除去所述第一钝化层和所述第一掺杂层露出所述硅基底层;/n在所述图案化的第一电介质保护层和露出的硅基底层上形成图案化的第二钝化层和第二掺杂层;/n在形成于所述硅基底层上的所述第二掺杂层上形成刻蚀阻挡层;/n除去形成于所述图案化的第一电介质保护层上的所述第二钝化层和第二掺杂层;/n除去所述图案化的第一电介质保护层和所述刻蚀阻挡层;/n在图案化的第一掺杂层和第二掺杂层上形成第二电介质保护层;/n按预定图案利用激光刻蚀所述第二电介质保护层;/n以图案化的第二电介质保护层为掩模形成透明导电层;/n在所述透明导电层上形成电极。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新(北京)科技有限公司,未经君泰创新(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810645454.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top