[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201810645534.8 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN108807483B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 江啟圣;詹钧翔;李欣浤;范铎正;蔡庭玮;蔡旻锦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种发光元件,包括基板、主动元件、第一遮光层、透明电极、第二遮光层、光转换层、电致发光结构以及顶电极。主动元件位于基板上。第一遮光层位于主动元件上,且具有第一开口。透明电极位于第一遮光层上,且电性连接主动元件。第二遮光层位于透明电极上,且具有对应第一开口的第二开口。光转换层实质上位于第一开口中。电致发光结构实质上位于第二开口中。透明电极位于第一开口与第二开口之间。电致发光结构位于顶电极以及透明电极之间。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,其特征在于,包括:一基板;一主动元件,位于该基板上;一第一遮光层,位于该主动元件上,且具有一第一开口;一透明电极,位于该第一遮光层上,且电性连接该主动元件;一第二遮光层,位于该透明电极上,且具有对应该第一开口的一第二开口;一光转换层,位于该第一开口中;一电致发光结构,位于该第二开口中,其中该透明电极位于该第一开口与该第二开口之间;以及一顶电极,该电致发光结构位于该顶电极以及该透明电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的