[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，具备：形成在半导体基板的漂移区、在半导体基板的上表面延伸而设置的栅极沟槽部、分别与栅极沟槽部的一侧和另一侧邻接的第一台面部和第二台面部、在第一台面部中设置在漂移区的上方的积累区、在第一台面部中设置在积累区的上方的基区、在第一台面部中设置在基区与半导体基板的上表面之间的发射极区、在第二台面部中设置在漂移区的上方的中间区、以及在第二台面部的上表面设置在中间区的上方的接触区，栅极沟槽部具有栅极导电部，栅极导电部的底部在与第一台面部相对的一侧和与第二台面部相对的一侧分别具有第一台阶和第二台阶，中间区的至少一部分设置在台阶与栅极沟槽部的底部之间。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有第一导电型的漂移区；栅极沟槽部，设置为从所述半导体基板的上表面起到所述漂移区为止，并且配置为沿在所述半导体基板的上表面预先设定的延伸方向延伸；第一台面部，在所述半导体基板中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在与所述延伸方向垂直的方向的一侧；第二台面部，在所述半导体基板中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在与所述延伸方向垂直的方向的另一侧；第一导电型的积累区，在所述第一台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述漂移区的上方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基区，在所述第一台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述积累区的上方；第一导电型的发射极区，在所述第一台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述基区与所述半导体基板的上表面之间，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的中间区，在所述第二台面部中以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述漂移区的上方；以及第二导电型的接触区，在所述第二台面部的上表面以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述中间区的上方，所述栅极沟槽部具有：栅极沟槽；栅极绝缘膜，以覆盖所述栅极沟槽的内壁的方式形成；以及栅极导电部，在所述栅极沟槽的内部形成在比所述栅极绝缘膜更靠内侧的位置，所述栅极导电部的底部在与所述第一台面部相对的一侧具有第一台阶，所述栅极导电部的底部在与所述第二台面部相对的一侧具有与所述延伸方向垂直的方向上的宽度比所述第一台阶的与所述延伸方向垂直的方向上的宽度小的第二台阶或者没有第二台阶，在所述半导体基板的深度方向上，所述中间区的至少一部分设置在所述第一台阶与所述栅极沟槽部的底部之间。