[发明专利]一种针对低浓度NO2气体的新型In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料有效
| 申请号： | 201810650751.6 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108663417B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 刘久荣;杜文静;吴莉莉;汪宙;王凤龙;王琦;刘伟 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;C01G15/00;C01G30/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种针对低浓度NO2具有优异气敏性能的新型In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料、气敏元件及其制作方法与应用。所述新型In2O3/Sb2O3复合半导体气敏材料是由基体相和修饰相按一定摩尔比所构成，所述的基体为多孔结构的In2O3空心纳米管，基体表面及多孔结构孔道内分布有修饰相，所述的修饰相为Sb2O3。本发明还提供复合结构半导体气敏材料的制备方法、气敏元件的制作方法及其气敏性能。本发明的新型In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料对低浓度NO2气体具有高的灵敏度和选择性、低工作温度以及响应和恢复时间快等特点。本发明的制备方法简单，工艺参数易控制，操作容易且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 空心纳米 气敏材料 修饰 多孔结构 气敏性能 气敏元件 复合 制备 半导体气敏材料 复合半导体 复合结构 基体表面 灵敏度 摩尔比 孔道 制作 响应 应用 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种针对低浓度NO2气体的新型In2O3/Sb2O3复合空心纳米管气敏材料的制备方法，其特征在于，所述气敏材料由金属氧化物纳米管和修饰其上的修饰相颗粒组成；其中，金属氧化物纳米管为单分散空心纳米管，管的长度为1‑5μm，直径为100‑500nm，壁厚为10‑40nm；修饰相颗粒粒径在2‑15nm；制备方法为：将基体原料、修饰相原料，和氨基对苯二甲酸或对苯二甲酸在有机溶剂中混合均匀，溶剂热法合成配位聚合物；将上述配位聚合物离心、烘干、并煅烧获得掺杂气敏材料；所述基体原料包括：InCl3、In(SO4).9H2O、In(NO3)3.4.5H2O、In(NO3)3.xH2O中的一种；所述修饰相原料：SbCl3。
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