[发明专利]LDMOS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810651175.7 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634948B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杨震;马燕春;郭兵;王孝远;王刚宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS器件及其形成方法，所述LDMOS器件包括：衬底，所述衬底包括漂移区；场氧化层，位于所述漂移区的衬底上；栅极结构，包括覆盖部分所述场氧化层和衬底的栅电极，以及与所述栅电极相邻的场极板，栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；漏区，位于所述场极板一侧的漂移区中；源区，位于所述栅电极一侧的衬底中。本发明所述LDMOS器件的场极板包括多个伪栅结构，伪栅结构之间留有空隙，可以降低靠近漏端一侧的场极板与漂移区之间电场强度，优化LDMOS器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括漂移区；/n场氧化层，位于所述漂移区的衬底上；/n栅极结构，包括覆盖部分所述场氧化层和衬底的栅电极，以及与所述栅电极相邻的场极板，栅电极的延伸方向为第一方向，在衬底投影面上与所述第一方向垂直的为第二方向，所述场极板在所述第一方向和第二方向均包括多个伪栅结构，所述伪栅结构位于所述场氧化层上；/n漏区，位于所述场极板一侧的漂移区中；/n源区，位于所述栅电极一侧的衬底中。/n
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