[发明专利]一种电阻可调的互联硅通孔的制作方法有效
| 申请号： | 201810651525.X | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109019504B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 屈怀泊;刘燕;谢强;孙金池 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 李晶尧 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种电阻可调的互联硅通孔的新型制作方法，涉及互联硅通孔的制作方法领域；包括如下步骤：步骤(一)、在高阻硅的上底面和下底面进行氧化；步骤(二)、在电隔离层上刻蚀硅通孔；步骤(三)、在高阻硅上表面电隔离层上表面淀积金属薄膜；步骤(四)、在金属薄膜种子层上表面铺好光刻胶；步骤(五)、制作互联硅通孔信号输入/输出端；步骤(六)、制作形成地层互联层；步骤(七)、对硅通孔的内壁进行电镀；步骤(八)、对高阻硅沿预先设定的划片道进行划片，分隔出互联硅通孔芯片；本发明工艺简单，能够满足惠斯通电桥桥臂电阻的补偿需求，降低了电阻匹配难度，实现了更好的工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 可调 互联硅通孔 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻可调的互联硅通孔的新型制作方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤(一)、采用圆柱形状的高阻硅(01)作为衬底材料，在高阻硅(01)的上底面和下底面进行氧化，制备电隔离层(02)；步骤(二)、在电隔离层(02)上刻蚀硅通孔(03)；步骤(三)、在高阻硅(01)上表面电隔离层(02)上表面淀积金属薄膜，形成种子层(04)；步骤(四)、将带有矩形通孔的光刻胶作为模版，在金属薄膜种子层(04)上表面铺好光刻胶；步骤(五)、在光刻胶通孔露出的金属薄膜种子层(04)上表面进行电镀；金属薄膜种子层(04)沿光刻胶通孔自然生长出互联硅通孔信号输入/输出端(05)；将光刻胶及光刻胶下表面覆盖的金属薄膜种子层(04)去除；步骤(六)、在高阻硅(01)下表面电隔离层(02)的下表面淀积金属薄膜，形成地层互联层(07)；步骤(七)、对硅通孔(03)的内壁进行电镀，硅通孔(03)的内壁自然生长出互联硅通孔金属(06)，实现将互联硅通孔信号输入/输出端(05)和地层互联层(07)连通；步骤(八)、对高阻硅(01)沿预先设定的划片道(102)进行划片，分隔出互联硅通孔芯片(101)。
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