[发明专利]芯片封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810652282.1 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN110634824B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 何崇文 申请(专利权)人: 何崇文
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理有限公司 11368 代理人: 仲伯煊
地址: 中国台湾台北市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括第一介电层、至少一芯片、第一图案化线路层、至少一第一铜柱以及多个第二铜柱。第一介电层具有彼此相对的第一表面与第二表面。芯片配置于第一介电层的第一表面上。第一图案化线路层配置于第一介电层的第二表面上。第一铜柱内埋于第一介电层中且直接接触芯片的主动表面。第二铜柱内埋于第一介电层中且电性连接芯片的多个芯片接垫与第一图案化线路层。第一铜柱的第一剖面宽度大于每一个第二铜柱的第二剖面宽度。
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:/n第一介电层,具有彼此相对的第一表面与第二表面;/n至少一芯片,配置于所述第一介电层的所述第一表面上,且具有主动表面与位于所述主动表面的多个芯片接垫;/n第一图案化线路层,配置于所述第一介电层的所述第二表面上;/n至少一第一铜柱,内埋于所述第一介电层中,所述至少一第一铜柱直接接触所述至少一芯片的所述主动表面,且电性连接所述第一图案化线路层;/n多个第二铜柱,内埋于所述第一介电层中,且电性连接所述多个芯片接垫与所述第一图案化线路层,其中所述至少一第一铜柱的第一剖面宽度大于所述多个第二铜柱的每一个的第二剖面宽度。/n
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