[发明专利]一种三轴磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201810652651.7 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN108919147B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 钱正洪;白茹 申请(专利权)人: 钱正洪;白茹
主分类号: G01R33/10 分类号: G01R33/10;G01R33/09;G01R33/02;G01R33/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱月芬
地址: 美国明尼苏达州伊登*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种三轴磁场传感器。本发明包括X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器。X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器均设置在衬底上,X/Y双轴磁场传感器与Z轴磁场传感器位置相邻;X/Y双轴磁场传感器的两组惠斯通电桥结构形成两个输出,实现X/Y轴磁场测量。Z轴磁场传感器在Z轴磁场作用下,产生两个方向不同的水平分量漏磁磁场,通过电桥感知并输出,实现Z轴磁场测量。本发明可实现单芯集成,三轴磁场传感器可实现单芯工艺层次的集成,即所有的磁敏电阻单元可以在同一种工艺中同时制成,集成度高、稳定性好、抗干扰能力强。
搜索关键词: 一种 磁场 传感器
【主权项】:
1.一种三轴磁场传感器,包括X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器;其特征在于:所述的X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器均设置在衬底上,X/Y双轴磁场传感器与Z轴磁场传感器位置相邻;用于测量三轴磁场;所述的X/Y双轴磁场传感器包括双轴磁通引导器;双轴磁通引导器设置在衬底上,双轴磁通引导器外部框架为方环形或圆环形结构,两条对角线或两条垂直的对称轴将双轴磁通引导器分为四个区域;每个区域均开有磁敏电阻放置间隙;每个区域设置有一对磁敏电阻,磁敏电阻均设置在衬底上,一个磁敏电阻被双轴磁通引导器覆盖,另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内;检测同向磁场的两对磁敏电阻连成一组惠斯通电桥结构,两组惠斯通电桥形成两个输出;分别测量X轴和Y轴磁场分量;所述的Z轴磁场传感器包括单轴磁通引导器和两对磁敏电阻,两对磁敏电阻分别设置在单轴磁通引导器的两对边;两对磁敏电阻连成一组惠斯通电桥结构,形成一个输出,测量Z轴磁场分量;在Z轴磁场作用下,单轴磁通引导器两边边缘处产生具有不同方向水平分量的漏磁场,被分别位于两侧的两对面内敏感的磁敏电阻所感知,并由惠斯通电桥进行输出。
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