[发明专利]一种高比表面积的MeN涂层及其制备方法和超级电容器有效
| 申请号： | 201810654793.7 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108831754B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王启民;高则翠;吴正涛;张腾飞;黄雪丽 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于氮化物涂层的技术领域，尤其涉及一种高比表面积的MeN涂层及其制备方法和应用。本发明提供了一种高比表面积的MeN涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤一、在氮气，或氮气和惰性气体混合气体的气氛中，通过物理气相沉积法蒸发或者溅射Me金属靶，形成MeN，沉积在基体的表面，得到第一MeN涂层，其中，Me包括金属的单质或过度金属的单质；步骤二、将所述第一MeN涂层的表面进行离子源刻蚀法处理，得到MeN涂层。本发明能有效解决目前氮化物基涂层存在的孔隙率低、比表面积小和稳定性差的技术缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 men 涂层 及其 制备 方法 超级 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种高比表面积的MeN涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、使用物理气相沉积法，在氮气，或氮气和惰性气体混合气体的气氛中，在基体的表面蒸发或者溅射Me金属靶材生成MeN，得到第一MeN涂层，其中，所述Me金属靶材包括金属的单质或过渡金属的单质；步骤二、将所述第一MeN涂层的表面进行离子源刻蚀法处理，得到高比表面积的MeN涂层。
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