[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810659940.X | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634798A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 31327 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区和隔离区，器件区和隔离区的基底上形成有栅极结构，栅极结构的顶部形成有保护层，且栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，层间介质层覆盖栅极结构的侧壁；依次去除隔离区的保护层和栅极结构，且还去除隔离区部分厚度的基底，隔离区的层间介质层和剩余基底围成沟槽；在沟槽内形成隔离层。本发明在栅极结构的顶部形成保护层，在沟槽内形成隔离层的工艺过程中，保护层对栅极结构顶部起到保护作用，防止栅极结构受到损耗，相应还有利于提高栅极结构的高度均一性，进而改善器件性能以及性能均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 隔离区 保护层 基底 层间介质层 隔离层 器件区 去除 半导体结构 高度均一性 性能均一性 工艺过程 器件性能 剩余基 侧壁 底围 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括器件区和隔离区，所述器件区和隔离区的基底上形成有栅极结构，所述栅极结构的顶部形成有保护层，且所述栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的侧壁；/n依次去除所述隔离区的保护层和栅极结构，且还去除所述隔离区部分厚度的基底，所述隔离区的层间介质层和剩余基底围成沟槽；/n在所述沟槽内形成隔离层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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