[发明专利]多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810659964.5 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN108878585A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 徐云;白霖;陈华民;宋国峰;陈良惠 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/101
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤宝平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法,包括:步骤1:在一InP衬底上依次生长牺牲层、N接触层、光吸收层和帽层;步骤2:从帽层的一侧向下刻蚀,刻蚀深度达到N接触层,便于电极引出;步骤3:在接触层和帽层上生长图形金属电极,并在电极上生长铟柱,得到探测器芯片;步骤4:取一个读出电路,将探测器芯片与读出电路倒扣,得到一个焦平面模块;步骤5:对焦平面模块的背面,去除衬底和牺牲层;步骤6:在N接触层上生长SiO2介质膜,图形化制备多层分光透光膜,形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。本发明具有工艺简单,产品成像速度快,成本低的优点,其解决了集成度低的问题。
搜索关键词: 可见光 电极 多波段 帽层 制备 红外焦平面探测器 生长 探测器芯片 读出电路 牺牲层 衬底 刻蚀 焦平面探测器 光吸收层 平面模块 图形金属 集成度 焦平面 接触层 介质膜 透光膜 图形化 倒扣 对焦 多层 分光 去除 铟柱 成像 背面
【主权项】:
1.一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一InP衬底1上依次生长牺牲层2、N接触层3、光吸收层4和帽层5;步骤2:从帽层5的一侧向下刻蚀,刻蚀深度达到N接触层3,便于电极引出;步骤3:在接触层3和帽层5上生长图形金属电极,并在电极上生长铟柱6,得到探测器芯片;步骤4:取一个读出电路7,将探测器芯片与读出电路7倒扣,得到一个焦平面模块;步骤5:对焦平面模块的背面,去除衬底1和牺牲层2;步骤6:在N接触层3上生长SiO2介质膜8,图形化制备多层分光透光膜9,形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。
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