[发明专利]多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法在审
申请号: | 201810659964.5 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108878585A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 徐云;白霖;陈华民;宋国峰;陈良惠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/101 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤宝平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法,包括:步骤1:在一InP衬底上依次生长牺牲层、N接触层、光吸收层和帽层;步骤2:从帽层的一侧向下刻蚀,刻蚀深度达到N接触层,便于电极引出;步骤3:在接触层和帽层上生长图形金属电极,并在电极上生长铟柱,得到探测器芯片;步骤4:取一个读出电路,将探测器芯片与读出电路倒扣,得到一个焦平面模块;步骤5:对焦平面模块的背面,去除衬底和牺牲层;步骤6:在N接触层上生长SiO2介质膜,图形化制备多层分光透光膜,形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。本发明具有工艺简单,产品成像速度快,成本低的优点,其解决了集成度低的问题。 | ||
搜索关键词: | 可见光 电极 多波段 帽层 制备 红外焦平面探测器 生长 探测器芯片 读出电路 牺牲层 衬底 刻蚀 焦平面探测器 光吸收层 平面模块 图形金属 集成度 焦平面 接触层 介质膜 透光膜 图形化 倒扣 对焦 多层 分光 去除 铟柱 成像 背面 | ||
【主权项】:
1.一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一InP衬底1上依次生长牺牲层2、N接触层3、光吸收层4和帽层5;步骤2:从帽层5的一侧向下刻蚀,刻蚀深度达到N接触层3,便于电极引出;步骤3:在接触层3和帽层5上生长图形金属电极,并在电极上生长铟柱6,得到探测器芯片;步骤4:取一个读出电路7,将探测器芯片与读出电路7倒扣,得到一个焦平面模块;步骤5:对焦平面模块的背面,去除衬底1和牺牲层2;步骤6:在N接触层3上生长SiO2介质膜8,图形化制备多层分光透光膜9,形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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