[发明专利]一种高性能静态随机存取存储器在审
| 申请号： | 201810660101.X | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634517A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 成都康元多商贸有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C8/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能静态随机存取存储器，包括时钟模块、锁存模块、译码模块、存储阵列和IO模块；所述锁存模块对读写地址和数据进行锁存；IO模块通过预充和下拉的方式输出读出位线值，然后对读出值进行触发锁存；读写地址分别进行译码，用于控制存储阵列的存储单元进行读写操作；写入数据经触发锁存之后，进入存储阵列存储；所述时钟模块与锁存模块相连接；所述锁存模块分别与译码模块和存储阵列相连接；所述译码模块与存储阵列相连接；所述存储阵列与IO模块相连接。本发明的SRAM具有高可靠、高速度、高密度和低功耗的有点，同时采用左右对称的布局和布线方式有效减小了走线长度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储阵列 锁存模块 译码模块 锁存 读写地址 时钟模块 触发 静态随机存取存储器 布线方式 存储单元 读出位线 读写操作 控制存储 写入数据 左右对称 低功耗 高可靠 减小 下拉 译码 预充 走线 读出 存储 输出 | ||
【主权项】：
1.一种高性能静态随机存取存储器，其特征在于，包括时钟模块、锁存模块、译码模块、存储阵列和IO模块；所述锁存模块对读写地址和数据进行锁存；IO模块通过预充和下拉的方式输出读出位线值，然后对读出值进行触发锁存；读写地址分别进行译码，用于控制存储阵列的存储单元进行读写操作；写入数据经触发锁存之后，进入存储阵列存储；所述时钟模块与锁存模块相连接；所述锁存模块分别与译码模块和存储阵列相连接；所述译码模块与存储阵列相连接；所述存储阵列与IO模块相连接。/n
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