[发明专利]一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810660416.4 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108565285B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张素红 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法，该器件包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层，其特征在于，所述GaAs缓冲层采用的生长温度是低温。制备方法是在GaAs衬底上低温条件下生长一层GaAs缓冲层；然后再在GaAs缓冲层上继续依次生长高电子迁移率晶体管有源区结构：InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层。本发明通过生长低温GaAs缓冲层取代原有的缓冲层，目的是避免在高电子迁移率晶体管结构的缓冲层处形成平行电导，从而在器件工作时产生缓冲层漏电现象，这样可以提高器件的最大工作频率，同时有效地降低器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 电子 迁移率 晶体管 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料，包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、n‑AlGaAs蚀刻停止层、N+GaAs帽层，其特征在于，所述GaAs缓冲层为低温缓冲层。
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