[发明专利]并五噻吩同分异构体及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及并五噻吩同分异构体及其制备方法和应用，制备方法为：S1：将5‑三甲基硅基‑3‑溴‑2‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]噻吩或其同分异构体先加入烷基锂反应，再加入(PhSO2)2S关环；或将5‑三甲基硅基‑3‑溴‑2‑(5‑(三甲基硅基)噻吩‑3)‑二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]噻吩或其同分异构体先加入LDA、C2Br2Cl4反应，再利用二(三丁基锡)硫醚、四三苯基磷钯或醋酸钯反应，制得2,7‑二(三甲基硅基)‑噻吩并[2',3':4,5]噻吩并[3,2‑b]噻吩并[3',2':4,5]噻吩并[2,3‑d]噻吩或其同分异构体；S2：将S1的产物脱TMS制得并五噻吩同分异构体。本发明制备的并五噻吩同分异构体可以作为有机半导体材料应用于有机场效应晶体管中。

主权项

1.一种并五噻吩同分异构体的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1：将或其同分异构体在惰性气体保护及有机溶剂存在的条件下，先在‑90～‑60℃的温度下加入烷基锂反应，再加入关环试剂(PhSO₂)₂S升至室温反应，最后加入淬灭剂淬灭反应，反应液经后处理得或其同分异构体；或将或其同分异构体在惰性气体保护及有机溶剂存在的条件下，先在‑90～‑60℃的温度下加入LDA反应，再加入溴代试剂C₂Br₂Cl₄升至室温反应，最后加入淬灭剂淬灭反应，反应液经后处理得或其同分异构体，再将或其同分异构体在惰性气体保护、有机溶剂及二(三丁基锡)硫醚存在的条件下，加入四三苯基磷钯或醋酸钯，在85‑105℃下反应，反应液经后处理得或其同分异构体；S2：将或其同分异构体溶于有机溶剂，加入三氟乙酸或四丁基氟化铵，在室温下反应后，加入淬灭剂淬灭反应，反应液经后处理制得并五噻吩同分异构体。