[发明专利]多叉指静电保护器件

摘要

本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。

主权项

1.一种多叉指静电保护器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，所述第二P阱位于所述第一P阱和所述第三P阱的中间，所述第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，所述第一P阱与所述第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，所述第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，所述第四P+注入区以及所述第五P+注入区均与所述深N阱跨接，所述N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，所述第二P阱与所述第三P阱之间设有第六P+注入区、第六N+注入区、第七P+注入区，所述第三P阱内设有第七N+注入区、第八N+注入区、第八P+注入区，所述第一P+注入区、所述第一N+注入区、所述N+/P+掺杂注入区连接阴极，所述第二N+注入区、所述第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第四N+注入区连接阳极，所述多叉指静电保护器件以所述N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。