[发明专利]一种增强FLASH存储器可靠性的方法

摘要

本发明介绍一种增强FLASH存储器可靠性的方法,涉及应对上层应用对FLASH存储器页的访问请求，通过建立FLASH映射表,在映射表中查找访问页对应的实际地址，访问该实际地址；访问后，检查硬件提供的ECC校验寄存器，如果该寄存器的值为0，则表示访问成功；如果该寄存器的值为1，则表示存在ECC1bit错误并被纠错，此错误作为换页条件，进行换页操作。换页时，在映射表中按规则找到可用冗余区的页地址，如果冗余区耗尽，FLASH存储器可靠性失效，否则使用该冗余区,并更新FLASH映射表信息，完成换页操作。本发明介绍的方法，可以通过建立FLASH映射表,配置FLASH存储器冗余区大小，动态提升FLASH存储器的可靠性，解决不同用户对FLASH存储器可靠性的需求，提高开发效率。

主权项

1.一种增强FLASH存储器可靠性的方法，其特征在于，按以下步骤操作进行程序执行和处理，改进FLASH存储器的可靠性：步骤1，上电后，建立FLASH映射表及初始化,等待上层应用对FLASH存储器访问请求；步骤2，应对FLASH存储器访问请求，在映射表中进行映射查找，得到实际FLASH存储地址；步骤3，根据需要操作的实际FLASH存储地址，访问FLASH存储器地址；步骤4，判断是否需要换页，判断条件为：如果是读访问，检查ECC校验寄存器，为0则不需要换页，访问成功，退出判断；为1则需要换页但返回数据正确，进入步骤5；为其他值则ECC无法纠错，访问失败，退出判断；如果是写访问，检查写函数返回值，如果为0，则不需要换页，访问成功，退出判断；为1则需要换页但返回数据正确，进入步骤5；步骤5，查询FLASH映射表，按规则找到可用冗余区的页地址，如果冗余区已经耗尽，进入步骤6；如果存在可用的冗余区页，则先将冗余页值更新为与替换页相同，再更新FLASH映射表信息,访问成功，流程结束；步骤6，冗余区耗尽，无法换页，存储器整体可靠性失效，访问彻底失败，流程终止。