[发明专利]一种Ag8有效

专利信息
申请号: 201810666112.9 申请日: 2018-06-26
公开(公告)号: CN108588841B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 金敏;蒋俊;胡皓阳;邵和助;徐静涛;江浩川 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B11/02;C30B11/00;C30B33/02
代理公司: 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 代理人: 单英;沈小青
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供了一种Ag8SnSe6晶体生长方法,采用溶体生长法,将Ag8SnSe6籽晶与Ag8SnSe6多晶料,以及NaCl与LiCl构成的复合覆盖剂装入坩埚中,抽真空后密封,有效避免了生长过程中Se挥发,提高了晶体的化学计量比准确性。本发明优选利用高热导率耐热钢作为基座支撑坩埚,可对结晶潜热进行有效传导从而有利于获得高完整性的Ag8SnSe6晶体。另外,本发明优化了晶体生长工艺,依次在850~950℃的高温区完成Ag8SnSe6原料融化并与籽晶接种,在700~850℃的中温区完成晶体生长直到熔体结晶完成,在450~700℃的低温区完成退火,有利于性能优异的Ag8SnSe6晶体的获得。
搜索关键词: 一种 ag base sub
【主权项】:
1.一种Ag8SnSe6晶体生长方法,采用溶体生长法,将Ag8SnSe6籽晶与Ag8SnSe6多晶料装入坩埚中,抽真空后密封,其特征是:坩埚中还装有NaCl与LiCl构成的复合覆盖剂。
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