[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810666188.1 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN109427788B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李准原;高在康;文锦妃;崔炳德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第一位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构与第一位线结构之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口，并且插置在第一接触结构与第一位线结构之间。具有间隙部分的盖绝缘图案插置在第一接触结构与第二接触结构之间。间隙部分具有向下减小的宽度。空气覆盖图案覆盖该盖绝缘图案以密封第一分离空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一接触结构；第二接触结构；设置在所述第一接触结构和所述第二接触结构之间的第一位线结构；插置在所述第一接触结构和所述第一位线结构之间的第一空气间隔物；第一分离空间，连接到所述第一空气间隔物的空气入口并且插置在所述第一接触结构和所述第一位线结构之间；盖绝缘图案，具有插置在所述第一接触结构和所述第二接触结构之间的间隙部分，其中所述间隙部分具有向下减小的宽度；以及空气覆盖图案，覆盖所述盖绝缘图案以密封所述第一分离空间。
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