[发明专利]图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管有效
| 申请号： | 201810667825.7 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110649134B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高明圆 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管。包括初始阶段：在衬底上形成具有初始形貌的图形化掩膜；形貌形成阶段，通入第一刻蚀气体，在预设的第一刻蚀工艺参数下，形成具有预定形貌的图形化掩膜以及初步图形化衬底；拐角形成抑制阶段：通入第二刻蚀气体，在预设的第二刻蚀工艺参数下，抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成，以获得中间图形化衬底；形貌修饰阶段，通入第三刻蚀气体，在预设的第三刻蚀工艺参数下，对中间图形化衬底的侧壁形貌进行修饰，以获得最终图形化衬底。本发明的图案化衬底的制作方法，可以有效缩短工艺制程时间，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 制作方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种图形化衬底的制作方法，其特征在于，包括：/n初始阶段：在衬底上形成具有初始形貌的图形化掩膜；/n形貌形成阶段：通入第一刻蚀气体，在预设的第一刻蚀工艺参数下，形成具有预定形貌的图形化掩膜以及初步图形化衬底；/n拐角形成抑制阶段：通入第二刻蚀气体，在预设的第二刻蚀工艺参数下，抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成，直至所述具有预定形貌的图形化掩膜完全被刻蚀，以获得中间图形化衬底，其中，通过增大所述初步图形化衬底的底宽和/或减小所述具有预定形貌的图形化掩膜的收缩速度，能抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成；/n形貌修饰阶段：通入第三刻蚀气体，在预设的第三刻蚀工艺参数下，对所述中间图形化衬底的侧壁形貌进行修饰，以获得最终图形化衬底。/n
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