[发明专利]用于嵌入式存储器应用的横向扩散MOSFET有效
| 申请号： | 201810669738.5 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109119465B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 蒂埃里·姚 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/417;H01L29/78;H01L27/11526;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于嵌入式存储器应用的横向扩散MOSFET。例如，提供一种特别适用于密集间距环境如集成存储器应用中的线驱动器的横向扩散MOSFET LDMOS设备架构。在一个实施方案中，例示性高压MOSFET设备包括：主体(第一导电类型的半导体)；源极区(第二导电类型的半导体)，所述源极区位于源极有效区域处并且在主体内或邻近主体定位；漂移区(第二导电类型的轻掺杂半导体)，所述漂移区邻近主体定位；以及栅极，所述栅极覆盖主体的至少一部分和漂移区的至少一部分以在源极区与漂移区之间形成可控沟道。为了增大漏极击穿电压，漂移区的宽度尺寸形成为充分小以使耗尽区延伸穿过漂移区的整个宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 嵌入式 存储器 应用 横向 扩散 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种高压MOSFET设备，其特征在于具有：主体，所述主体为第一导电类型的半导体；源极区，所述源极区位于源极有源区域处并且在所述主体内或邻近所述主体定位，所述源极区为第二导电类型的半导体；漂移区，所述漂移区为所述第二导电类型的轻掺杂半导体，所述漂移区邻近所述主体定位；以及栅极，所述栅极覆盖所述主体的至少一部分和所述漂移区的至少一部分以在所述源极区与所述漂移区之间形成可控沟道，其中所述漂移区中被所述栅极覆盖的部分与半导体材料交界，从而在所述可控沟道关闭时形成具有相反地偏置的PN结的耗尽区，并且其中所述漂移区的宽度尺寸充分小以使所述耗尽区延伸穿过所述漂移区的整个宽度。
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