[发明专利]RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺有效
| 申请号： | 201810670020.8 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108649428B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 曲迪;白国人;陈墨;梁娟;宋学颖 | 申请（专利权）人： | 天津华慧芯科技集团有限公司;华慧高芯科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;G03F7/00 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺。属于微电子技术、光纤通信技术领域，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤一：基片清洗；步骤二：在基片表面旋涂双层光刻胶，通过曝光显影，将光刻版上的图案转移至基片表面；步骤三：以光刻胶作掩膜，刻蚀出脊形波导结构；步骤四：利用原子层沉积法沉积薄膜作为绝缘层；步骤五：通过Lift‑off剥离工艺，去除光刻胶连同脊波导上方的薄膜，完成脊条上图形开窗。通过采用上述技术方案，本发明在保证工艺效果的基础上，简化了工艺流程，并且能够降低制造的成本。 | ||
| 搜索关键词： | rwg dfb 激光器 脊条上 图形 窗口 实现 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种RWG型DFB激光器脊条上图形窗口的实现工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：基片清洗；S2：在基片表面旋涂双层光刻胶，通过曝光显影，将光刻版上的图案转移至基片表面；S3：以光刻胶作掩膜，刻蚀出脊形波导结构；S4：利用原子层沉积法沉积薄膜作为绝缘层；S5：通过Lift‑off剥离工艺，去除光刻胶连同脊波导上方的薄膜，完成脊条上图形开窗。
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