[发明专利]一种脊波导电极开窗的方法有效
申请号: | 201810670126.8 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108847574B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 曲迪;白国人;陈墨;靳春艳;宋学颖 | 申请(专利权)人: | 华慧芯科技(天津)有限公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;G03F7/16 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 蒙建军 |
地址: | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种脊波导电极开窗的方法,包括:步骤:S1、对晶元上沉积的波导层进行刻蚀,形成脊波导结构及脊波导结构两侧的结构;S2、在脊波导结构及脊波导结构两侧结构的上表面生成电解质绝缘层;S3、在电解质绝缘层上涂覆下光刻胶,该下光刻胶的上表面高出脊波导结构的上表面;S4、在下光刻胶的上表面沉积金属介质层;S5、在金属介质层的上表面旋涂上光刻胶,利用掩膜版对脊波导结构上方的上光刻胶进行曝光和显影;S6、去除脊波导结构上方的金属介质层;S7、干法刻蚀去除上光刻胶和下光刻胶层;S8、去除脊波导结构上方的电解质绝缘层;S9、通过lift‑off工艺,去除电解质绝缘层上方的下光刻胶及金属介质层。 | ||
搜索关键词: | 一种 波导 电极 开窗 方法 | ||
【主权项】:
1.一种脊波导电极开窗的方法,其特征在于:至少包括如下步骤:S1、对晶元上沉积的波导层进行刻蚀,形成脊波导结构及脊波导结构两侧的结构;S2、在脊波导结构及脊波导结构两侧结构的上表面生成电解质绝缘层;S3、在电解质绝缘层上旋涂下光刻胶,该下光刻胶的上表面高出脊波导结构的上表面;S4、在所述下光刻胶的上表面沉积金属介质层;S5、在所述金属介质层的上表面旋涂上光刻胶,然后利用掩膜版对脊波导结构上方的上光刻胶进行曝光和显影;S6、去除脊波导结构上方的金属介质层;S7、干法刻蚀去除上光刻胶和下光刻胶层;S8、去除脊波导结构上方的电解质绝缘层;S9、通过lift‑off工艺,去除电解质绝缘层上方的下光刻胶及金属介质层。
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