[发明专利]检测晶圆缺陷的方法和系统有效
| 申请号： | 201810671007.4 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108831844B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张义东;曾最新;谢海波;梁玲 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：获取待检测晶圆的至少一部分的红外热成像图；根据所述红外热成像图，识别所述待检测晶圆的缺陷。本发明提供了一种检测晶圆缺陷的方法和装置，通过获取待检测晶圆的红外热成像图，将待检测晶圆的能量信息转化为图像信息，识别待检测晶圆的缺陷，克服了人工目检的随机性，也无需昂贵的扫描机，提高了晶圆缺陷检测的准确性，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 检测 红外热成像图 晶圆缺陷 种检测 随机性 晶圆缺陷检测 方法和装置 能量信息 人工目检 图像信息 扫描机 转化 | ||
【主权项】：
1.一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n获取待检测晶圆的至少一部分主动散发的红外线生成的红外热成像图；/n根据所述红外热成像图，识别所述待检测晶圆的缺陷；以及/n确定所述缺陷在所述待检测晶圆中的位置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
