[发明专利]一种IPM封装结构及其制备方法有效
申请号: | 201810671348.1 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108831838B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 乐清海创智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/14;H01L23/498;H01L25/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325600 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种IPM封装结构及其制备方法,该方法主要包括以下步骤:在所述树脂基底的上表面形成多个并排设置的条形凸块,接着嵌入金属凸块以形成电路布线结构,接着在所述电路布线结构上装配多个电子元件和多个引脚,然后形成第一隔热密封胶层、第二隔热密封胶层以及第一导热密封胶层以密封上述树脂基底,然后在每个功率元件的上方和下方分别设置第一散热块和第二散热快。本发明的制备方法有效减少了IPM封装结构的尺寸,且制备的IPM封装结构的综合性能优异。 | ||
搜索关键词: | 一种 ipm 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种IPM封装结构的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)提供一树脂基底,在所述树脂基底的上表面形成多个并排设置的条形凸块,每个所述条形凸块均具有两个倾斜侧表面,所述倾斜侧表面与所述条形凸块的底面的夹角均为30°‑60°,在每个所述倾斜侧表面形成多个凹槽;2)接着在所述树脂基底的下表面的四周边缘形成一环形凹孔;3)形成多个金属凸块,每个所述金属凸块嵌入到相应的所述凹槽中,以形成一电路布线结构;4)在所述电路布线结构上装配多个电子元件和多个引脚;5)将装配有电子元件和引脚的所述树脂基底置于模具中,首先注入一定量的第一隔热型树脂材料,以形成第一隔热密封胶层,所述第一隔热密封胶层充满所述环形凹孔,且所述第一隔热密封胶层仅覆盖所述树脂基底的下端部,接着注入一定量的第二隔热型树脂材料,以形成第二隔热密封胶层,所述第二隔热密封胶层铺设在所述第一隔热密封胶层上,所述第二隔热密封胶层完全覆盖所述条形凸块以及所述电子元件,且所述第二隔热密封胶层覆盖部分的所述引脚;然后注入一定量的导热型树脂材料,以形成第一导热密封胶层,所述第一导热密封胶层铺设在所述第二隔热密封胶层上;6)去除部分的所述第二隔热密封胶层和所述第一导热密封胶层,以在该些电子元件中的每个功率元件的上方均形成一第一盲孔,每个所述第一盲孔的底表面与相应的所述功率元件的顶表面相互平行,然后将一第一散热块紧密嵌入到所述第一盲孔中,使得所述第一散热块的底面与所述功率元件的顶表面之间的隔热密封胶层的厚度小于100微米;7)去除部分的所述第一隔热密封胶层和所述树脂基底,以在该些电子元件中的每个功率元件的下方均形成一第二盲孔,然后将一第二散热块嵌入到相应的所述第二盲孔中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐清海创智能科技有限公司,未经乐清海创智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810671348.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造