[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810677158.0 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN110649167A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 苏亮;谢相伟;黄航;眭俊 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,所述量子点发光二极管包括:阳极、阴极及设置在所述阳极和阴极之间的叠层,所述叠层包括依次层叠设置的空穴传输层、界面层和量子点发光层,所述空穴传输层靠近所述阳极一侧设置,所述量子点发光层靠近所述阴极一侧设置,所述界面层材料为功函数6.0eV以上的n型半导体。本发明新型结构量子点发光二极管不仅可以提高空穴注入到量子点发光层的能力,维持量子点本来的优良性质,还有助于实现溶液法制备量子点发光二极管及量子点发光二极管显示屏,表现出很好的应用前景。
搜索关键词: 量子点 发光二极管 阴极 阳极 发光层 空穴传输层 叠层 发光二极管显示屏 界面层材料 溶液法制备 空穴 依次层叠 功函数 界面层 制备 应用 表现
【主权项】:
1.一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极及设置在所述阳极和阴极之间的叠层,其特征在于,所述叠层包括依次层叠设置的空穴传输层、界面层和量子点发光层,所述空穴传输层靠近所述阳极一侧设置,所述量子点发光层靠近所述阴极一侧设置,所述界面层材料为功函数6.0eV以上的n型半导体。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810677158.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top