[发明专利]一种提高压敏电阻通流容量的方法

摘要

本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种提高压敏电阻通流容量的方法。其中该方法包括：（1）陶瓷基片原料组分配比，（2）金属量子点复合物掺杂，（3）原料颗粒制备，（4）陶瓷基片烧结，（5）光敏电阻封装等步骤；其中，制备该型光敏电阻的陶瓷基片的原料组分包括：氧化锌、金属量子点复合物、氧化钴、氧化铋、碳酸锰、氧化锡、氧化钇、氯化镧和氧化钐；该方法通过材料和工艺方面的改进，使得制备的压敏电阻的通流容量得到较大提升。

主权项

1.一种提高压敏电阻通流容量的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）按照质量份数，准备原料组分：氧化锌97‑100份，氧化钴0.31‑0.38份，氧化铋0.25‑0.32份，碳酸锰0.15‑0.25份，氧化锡0.13‑0.18份，氧化钇0.15‑0.17份，氯化镧0.23‑0.27份，氧化钐0.11‑0.14份，将原料组分混合均匀后，加入到球磨机中，球磨混合；（2）将3.4‑3.9份的金属量子点复合物用100‑150份无水乙醇进行均匀分散，然后将量子点复合物的分散液加入到上步的混合原料中，以270‑300r/min的转速进行分散处理，分散处理时间为20‑23min，分散处理结束后将无水乙醇蒸干，得到陶瓷基片原料；（3）将陶瓷基片原料和聚乙烯醇按照13‑15:1的质量比混合均匀，混合均匀后再进行造粒；（4）将上步的颗粒物以110‑120MPa的压力压制成坯型，送入到惰性气氛保护的高温烧结炉中进行高温烧结，烧结过程中首先进行排胶，然后以1250‑1300℃的最高烧结温度进行烧结，得所需陶瓷基片；（5）在得到的陶瓷基片上通过银浆印刷的方式形成电极，然后采用密封胶对形成电极后的电阻体进行封装，得到所需压敏电阻。