[发明专利]注入器及其包含注入器的工艺装置在审
| 申请号： | 201810679815.5 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108878326A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曾德强;陈伏宏;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种注入器及其包含注入器的工艺装置，其中，注入器包括：注入腔体，所述注入腔体顶部具有第一开口，所述第一开口用于向注入腔体内输入第一气体，所述注入腔体包括垂直于注入腔体内侧壁的参考面；位于注入腔体内的导流装置，所述导流装置与注入腔体之间具有气体通道，所述气体通道用于通过第一气体，所述导流装置包括第一区和位于第一区底部的第二区，所述导流装置第一区在参考面上具有第一投影，所述导流装置第二区在参考面上具有第二投影，且所述第一投影落在第二投影内；位于所述注入腔体底部的第二开口，所述第二开口用于输出第一气体。所述注入器能够降低给后续工艺带来缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 注入腔 注入器 导流装置 投影 开口 第一区 工艺装置 气体通道 体内 后续工艺 参考 参考面 内侧壁 垂直 输出 | ||
【主权项】：
1.一种注入器，其特征在于，包括：注入腔体，所述注入腔体顶部具有第一开口，所述第一开口用于向注入腔体内输入第一气体，所述注入腔体包括垂直于注入腔体内侧壁的参考面；位于注入腔体内的导流装置，所述导流装置与注入腔体之间具有气体通道，所述气体通道用于通过第一气体，所述导流装置包括第一区和位于第一区底部的第二区，所述导流装置第一区在参考面上具有第一投影，所述导流装置第二区在参考面上具有第二投影，所述第一投影落在第二投影内；位于所述注入腔体底部的第二开口，所述第二开口用于输出第一气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
