[发明专利]Ge-Se-O双向阈值开关材料、选通器单元及制备方法在审
申请号: | 201810680836.9 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108963073A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 刘广宇;吴良才;陈莹;刘万良;宋志棠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明提供一种Ge‑Se‑O双向阈值开关材料、选通器单元及制备方法,所述Ge‑Se‑O双向阈值开关材料的化学通式为GexSeyO100‑x‑y,其中x、y均指元素的原子百分比,且满足30 |
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搜索关键词: | 双向阈值开关 选通器 低电阻态 高电阻态 阈值电压 制备 原子百分比 化学通式 开启电流 外部电场 外部能量 电压低 开关比 | ||
【主权项】:
1.一种用于双向阈值开关选通器的Ge‑Se‑O双向阈值开关材料,其特征在于:所述Ge‑Se‑O双向阈值开关材料的化学通式为GexSeyO100‑x‑y,其中x、y均指元素的原子百分比,且满足30
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