[发明专利]Ge-Se-Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法在审
| 申请号： | 201810680838.8 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108922960A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘广宇;吴良才;李涛;章思帆;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种Ge‑Se‑Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法，其化学通式为GexSeySb100‑x‑y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20 | ||
| 搜索关键词： | 原子百分比 复合材料 相变存储器单元 制备 相变存储单元 数据保持力 材料介质 存储材料 化学通式 可逆转换 相变存储 低电阻 电压低 开关比 选通器 | ||
【主权项】：
1.一种用于1S1R相变存储器单元的Ge‑Se‑Sb复合材料，其特征在于：所述Ge‑Se‑Sb复合材料的化学通式为GexSeySb100‑x‑y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20
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