[发明专利]检查方法、光刻设备、掩模以及衬底

摘要

本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。

主权项

1.一种获得与光刻过程有关的焦距信息的方法，所述方法包括：照射第一目标，所述第一目标包括交替的第一结构和第二结构，所述第二结构的形式是依赖于焦距的，使得所述第二结构的形式依赖于用于形成所述第一目标的图案化的束的焦距，并且所述第一结构的形式与所述第二结构不具有相同的焦距依赖性，其中使用图案形成装置来产生所述图案化的束，所述图案形成装置包括用于形成所述第一结构的第一结构特征和用于形成所述第二结构的第二结构特征，所述第二结构特征包括用于形成低分辨率子结构的低分辨率子结构特征；以及所述第二结构特征包括用于形成高分辨率子结构的高分辨率子结构特征，并且所述高分辨率子结构包括平行于所述低分辨率子结构布置的多个伸长高分辨率子结构；以及检测由所述第一目标散射的辐射，以针对所述第一目标获得表示所述第一目标的整体非对称性的非对称性测量，所述非对称性测量指示形成所述第一目标时所述图案化的束的所述焦距。