[发明专利]外延片的制备方法及肖特基二极管在审
| 申请号： | 201810682428.7 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108899277A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 邢东;冯志红;赵向阳;王元刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王政 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种外延片的制备方法及肖特基二极管，外延片的制备方法包括：在衬底上表面生长重掺杂外延层；在所述重掺杂外延层上表面生长轻掺杂外延层；在所述轻掺杂外延层中制备凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；在制备凹槽后的轻掺杂外延层上表面生长二次外延层，所述二次外延层填充所述凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。使用本发明提供的外延片制备肖特基二极管时，能够提高肖特基二极管的反向击穿电压，且不会降低器件的高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 外延层 轻掺杂外延层 肖特基二极管 外延片 上表面 重掺杂 生长 半导体技术领域 反向击穿电压 衬底上表面 高频性能 降低器件 填充 | ||
【主权项】：
1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上表面生长重掺杂外延层；在所述重掺杂外延层上表面生长轻掺杂外延层；在所述轻掺杂外延层中制备凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；在制备凹槽后的轻掺杂外延层上表面生长二次外延层，所述二次外延层填充所述凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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