[发明专利]用于清洗半导体晶片的方法和设备有效
| 申请号： | 201810682458.8 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110416060B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈福平;张晓燕;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 201203 上海市自由贸易*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及一种用于对工艺中晶片进行清洗的方法和设备。该方法包括使工艺中晶片旋转，使功能水施加至旋转的工艺中晶片的表面，以在旋转的工艺中晶片上产生流动的功能水膜，使得工艺中晶片的表面由超声波装置清洗第一时段，引起超声波装置升起和/或增加旋转的工艺中晶片的旋转速度以使超声波装置与流动的功能水膜分离，在超将声波器件从功能水膜分离并使晶片表面干燥之后将功能水施加至旋转的晶片的表面达第二时段。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洗 半导体 晶片 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗工艺中晶片的方法，包括：使所述工艺中晶片旋转；使功能水施加至旋转的所述工艺中晶片的表面，以在旋转的所述工艺中晶片上产生流动的功能水膜；使所述工艺中晶片的所述表面由超声波装置清洗达第一时段；使所述超声波装置升起和/或使旋转的所述工艺中晶片的旋转速度加速，以将所述超声波装置与所述流动的功能水膜分离；在将所述超声波装置与所述功能水膜分离之后，使所述功能水施加至旋转的所述工艺中晶片的所述表面达第二时段；以及使所述工艺中晶片的所述表面干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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