[发明专利]光掩模坯料和光掩模

摘要

本发明涉及一种光掩模坯料和光掩模。具体涉及一种用于ArF准分子激光的曝光光的光掩模坯料，包括：透明衬底和包含钼、硅和氮的遮光膜。将该遮光膜形成为由单一组成层或组成梯度层组成的单层或者多层，远离该衬底的一侧的遮光膜的反射率为40％以下，并且所有层的衬底侧和远离衬底的一侧的表面处的折射率中，最高折射率与最低折射率之差为0.2以下，并且在表面处的消光系数中，最高与最低消光系数之差为0.5以下。该遮光膜在掩模加工中的蚀刻工艺或缺陷修正中呈现令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。

主权项

1.光掩模坯料，包括：透明衬底；和包含钼、硅和氮的遮光膜，其中曝光光为ArF准分子激光，将该遮光膜形成为单层或者由两层以上组成的多层，该层由在厚度方向上具有恒定的组成的单一组成层或者在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成，远离该衬底的一侧的遮光膜的对于该曝光光的反射率为40％以下，在该遮光膜为由组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层组成的单层的情况下，该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的折射率n之差为0.2以下并且该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的消光系数k之差为0.5以下，并且在该遮光膜为多层的情况下，在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的折射率n中，最高折射率n与最低折射率n之差为0.2以下，并且在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的消光系数k中，最高消光系数k与最低消光系数k之差为0.5以下。