[发明专利]一种测量有机半导体的有机磁阻的方法在审

专利信息
申请号: 201810684175.7 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN109061529A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 李泠;卢年端;耿玓;刘明 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张成新
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种测量有机半导体的有机磁阻的方法,包括:测量所述有机半导体在无外加磁场的环境下的第一电导值;测量所述有机半导体在有外加磁场的环境下的第二电导值;根据第一电导值和第二电导值求得所述有机磁阻。本发明公开的方法能够简单、精确地获得不同的有机半导体材料的磁阻,进而可以得到不同有机材料器件在不同温度,不同的电场强度,磁场以及载流子浓度下的有机磁阻效应,为研究不同类型的有机磁阻器件的微观物理机制提供一种普适性的物理方法。
搜索关键词: 有机半导体 磁阻 电导 测量 外加磁场 载流子 有机半导体材料 磁阻器件 磁阻效应 微观物理 有机材料 普适性 磁场 研究
【主权项】:
1.一种测量有机半导体的有机磁阻的方法,包括:测量所述有机半导体在无外加磁场的环境下的第一电导值;测量所述有机半导体在有外加磁场的环境下的第二电导值;以及根据第一电导值和第二电导值求得所述有机磁阻。
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