[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 201810686364.8 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108847571B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 冈久英一郎 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/023 | 分类号： | H01S5/023;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种具有稳定的散热性的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备半导体激光元件(10)、载置半导体激光元件(10)的载置体(30)、与载置体(30)连接的基体(40)。基体(40)具有与载置体(30)嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分贯通的贯通部。在此，凹部的底部中的除了贯通部之外的剩余部分的厚度为基体(40)的最大厚度的一半以下。载置体(30)的最下表面通过隔着剩余部分而从基体(40)的最下表面分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其具备半导体激光元件、载置所述半导体激光元件的载置体、基体、以及引线端子，所述半导体激光装置的特征在于，所述基体具有形成贯通孔的贯通部，所述引线端子在与所述贯通部不同的区域沿基体的上下延伸，所述载置体嵌入所述贯通孔中，所述载置体的一部分从所述基体向上方突出，所述载置体的最下表面比所述基体的最下表面靠上方且从所述基体的最下表面离开。
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