[发明专利]MRAM存储器单元、阵列及存储器有效
| 申请号： | 201810687747.7 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660435B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 何世坤;竹敏;韩谷昌 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM存储器单元、阵列及存储器，存储器单元包括：两个垂直堆叠的磁隧道结、选择器元件以及晶体管，其中，两个所述磁隧道结之间布置有隔离层，每个所述磁隧道结的参考层靠近所述隔离层布置，每个所述磁隧道结的自由层外侧各布置有一条自旋轨道矩提供线，所述选择器元件的两端通过金属连接层连接至两条所述自旋轨道矩提供线，所述晶体管的漏极与任意一条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述选择器元件的一端连接；两条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述磁隧道结的一端各自引出一个用于连接位线的端点，所述晶体管的栅极引出一个用于连接字线的端点，所述晶体管的源极引出一个用于连接源线的端点。本发明能够提高存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | mram 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM存储器单元，其特征在于，包括两个垂直堆叠的磁隧道结、选择器元件以及晶体管，其中，/n两个所述磁隧道结之间布置有隔离层，每个所述磁隧道结的参考层靠近所述隔离层布置，每个所述磁隧道结的自由层外侧各布置有一条自旋轨道矩提供线，所述选择器元件的两端通过金属连接层连接至两条所述自旋轨道矩提供线，所述晶体管的漏极与任意一条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述选择器元件的一端连接；/n两条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述磁隧道结的一端各自引出一个端点，用于连接位线；/n所述晶体管的栅极引出一个端点，用于连接字线；/n所述晶体管的源极引出一个端点，用于连接源线。/n
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