[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号： | 201810687787.1 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108807358B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 加贺广持;田岛纯平;岡俊行;宫部主之 | 申请（专利权）人： | 阿尔发得株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，其特征在于包括：导电性的衬底；2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，所述2个以上的发光体包括：第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体；及第1配线，其电连接于所述第1发光体的第1半导体层的所述衬底侧的表面及所述第2发光体的第2半导体层的所述衬底侧的表面，且延伸于设置在所述衬底上的绝缘层中；且所述衬底电连接于所述第1发光体的第2半导体层及所述第2发光体的第1半导体层中的任一者。
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