[发明专利]一种改善多晶硅晶界缺陷的方法和装置在审
| 申请号： | 201810688074.7 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108546990A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 周建军;徐志群;周慧敏;龙昭钦;周成;雷鸣;冷金标 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善多晶硅晶界缺陷的方法和装置，其中方法包括：判断当前铸锭炉中的硅料是否处于熔融状态；若是，向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂；判断当前所述铸锭炉中的硅料是否处于长晶结束阶段；若是，停止向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂。通过在当前的多晶铸锭炉中的硅料在熔融状态时，通入氢元素掺杂剂，在长晶结束之后结束，通过掺杂剂中的氢原子来终结硅的悬挂键，显著降低硅晶体表面的复合速率，能够在硅基体中引入高浓度的氢原子，氢钝化程度更加彻底，同时由于通入氢元素掺杂剂的过程与铸锭工艺同步，不会额外增加工艺时间，仅仅需要保存气体的装置而不会额外增加其它氢钝化的装置，增加成本非常有限、工艺过程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂剂 硅料 氢元素 铸锭炉 方法和装置 晶界缺陷 熔融状态 多晶硅 氢钝化 氢原子 多晶铸锭炉 工艺过程 结束阶段 铸锭工艺 硅基体 硅晶体 悬挂键 终结 复合 保存 引入 | ||
【主权项】：
1.一种改善多晶硅晶界缺陷的方法，其特征在于，包括：判断当前铸锭炉中的硅料是否处于熔融状态；若是，向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂；判断当前所述铸锭炉中的硅料是否处于长晶结束阶段；若是，停止向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂。
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