[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。在将衬底放入有机化学气相沉积设备的转盘内时，弓形的圆边表面的弦的中点与转动轴之间的距离，大于为弓形的圆边表面的弧的中点与转动轴之间的距离，这种设置使得衬底的平边表面朝向远离转盘的转动轴的一侧。此时在托盘的离心力的作用下，衬底的圆边表面部分会向背离平边表面的方向移动，在圆边表面上的外延层的外围部分与圆形凹槽的侧壁之间的摩擦减小，使得该部分的外延层的温度不会过高，保证所述外围部分中InGaN阱层中的In不会过分流失，圆边表面上生长的外延层的中心部分与外围部分发出的光波的波长长度相差不会过大，进而保证了发光二极管的发光均匀度。

主权项

1.一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括平边表面与圆边表面，所述圆边表面为弧大于半圆的弓形，所述平边表面为垂直于所述圆边表面的矩形，所述矩形的一条边与所述弓形的弦重合；将所述衬底放置在金属有机化合物化学气相沉积设备MOCVD内，所述MOCVD设备包括反应腔、以及放置在所述反应腔内的转盘和转动轴，所述转盘的第一表面上设置有用于放置所述衬底的圆形凹槽，所述转盘的第二表面上安装有所述转动轴，所述转动轴的轴线与所述转盘的第二表面垂直，所述转盘的第二表面为与所述转盘的第一表面相反的表面；在所述衬底上生长外延层；其特征在于，所述弓形的弦的中点与所述转动轴之间的距离，大于所述弓形的弧的中点与所述转动轴之间的距离。